| 品牌：维安 | 型号：WML08N65C4 | 封装：TO-220F |
| 批号：新批次 |
上海长园维安/深圳市联大电子有限公司(总代理）
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长园微安一家国内上市公司，拥有英飞凌的技术，散热好，内阻低，温升好，性价比高的一
款国内***的MOS原厂
1.通态阻抗小，通态损耗小。
由于SJ-MOS的Rdson远远低于VDMOS，在系统电源类产品中SJ-MOS的导通损耗必然较之VDMOS要减少的多。其大大提高了系统产品上面的单体MOSFET的导通损耗，提高了系统产品的效率，SJ-MOS的这个优点在大功率、大电流类的电源产品产品上，优势表现的尤为突出。
同等功率规格下封装小，有利于功率密度的提高。
首先，同等电流以及电压规格条件下，SJ-MOS的晶源面积要小于VDMOS工艺的晶源面积，这样作为MOS的厂家，对于同一规格的产品，可以封装出来体积相对较小的产品，有利于电源系统功率密度的提高。其次，由于SJ-MOS的导通损耗的降低从而降低了电源类产品的损耗，因为这些损耗都是以热量的形式散发出去，我们在实际中往往会增加散热器来降低MOS单体的温升，使其***在合适的温度范围内。由于SJ-MOS可以***减少发热量，减小了散热器的体积，对于一些功率稍低的电源，甚至使用SJ-MOS后可以将散热器***拿掉。***提高了系统电源类产品的功率密度。
栅电荷小，对电路的驱动能力要求降低。
传统VDMOS的栅电荷相对较大，我们在实际应用中经常会遇到由于IC的驱动能力不足造成的温升问题，部分产品在电路设计中为了增加IC的驱动能力，确保MOSFET的快速导通，我们不得不增加推挽或其它类型的驱动电路，从而增加了电路的复杂性。SJ-MOS的栅电容相对比较小，这样就可以降低其对驱动能力的要求，提高了系统产品的可靠性。
2.节电容小，开关速度加快，开关损耗小。
由于SJ-MOS结构的改变，其输出的节电容也有较大的降低，从而降低了其导通及关断过程中的损耗。同时由于SJ-MOS栅电容也有了响应的减小，电容充电时间变短，大大的提高了SJ-MOS的开关速度。对于频率固定的电源来说，可以***降低其开通及关断损耗。提高整个电源系统的效率。这一点尤其在频率相对较高的电源上，效果更加明显
Wayon Super Junction MOSFET 650V
1.Part No.：WML08N65C4
2.Description：N-Channel SJ-MOS C4
3.Package：TO-220F
4.VDS (V)：650
5.RDS(on) (Ω) @VGS=10V(max.)：0.93
6.ID (A) @TA=25℃：5.5
7.PD (W) @TA=25℃：46
8.VGS (V)：30
9.VGS(th) (V) (Typ.)：3
WMK08N65C4
WML08N65C4
WMM08N65C4
WMN08N65C4
WMO08N65C4
WMP08N65C4
WMF08N65C4
WMK10N65C4
WML10N65C4
WMM10N65C4
WMN10N65C4
WMO10N65C4
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WMF10N65C4
WMK14N65C4
WML14N65C4
WMM14N65C4
WMN14N65C4
WMO14N65C4
WMP14N65C4
WMK15N65C4
WML15N65C4
WMM15N65C4
WMN15N65C4
WMO15N65C4
WMP15N65C4
WMK26N65C4
WML26N65C4
WMM26N65C4
WMN26N65C4
WMO26N65C4
WMP26N65C4
WMJ26N65C4
WMZ26N65C4
WMK28N65C4
WML28N65C4
WMM28N65C4
WMN28N65C4
WMJ28N65C4
WMK36N65C4
WML36N65C4
WMM36N65C4
WMN36N65C4
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WMZ36N65C4
WMK53N65C4
WML53N65C4
WMM53N65C4
WMN53N65C4
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WMJ80N65C4
WMJ90N65C4
WMJ99N65C4
WMK10N65F2
WML10N65F2
WMM10N65F2
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WMO10N65F2
WMP10N65F2
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WMM15N65F2
WMN15N65F2
WMO15N65F2
WMP15N65F2
WMK26N65F2
WML26N65F2
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WMP26N65F2
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WMK28N65F2
WML28N65F2
WMM28N65F2
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WMJ28N65F2
WMK36N65F2
WML36N65F2
WMM36N65F2
